A. L→E , N→E, L&N→E 測試屬于共模(Common Mode)
　　B. L→N 測試屬于差模(Differential mode)
　　以下是做雷擊測試時(shí)Common Mode 和Differential mode 的路徑如下圖所示 　　共模的雷擊對(duì)策: (Common Mode)
　　共模雷擊能量泄放路徑,(參考上圖綠線) ,首先考慮跨初、次級(jí)會(huì)因安全距離不足而造成其雷擊跳火或組件損壞的路徑有那些?(變壓器 /光耦合器 /Y-Cap)針對(duì)這三個(gè)組件選擇與設(shè)計(jì)考慮如下:
　　1. 變壓器:
　　因變壓器橫跨于初、次級(jí)組件, 依照工作電壓有不同的安規(guī)距離要求, 一般采
　　用Class B 的等級(jí), 零件本身初次級(jí)需通過Hi-POT 3000Vac , 需特別注意腳距離與鐵心的距離以及繞組每層膠帶數(shù)量是否符合絕緣強(qiáng)度。
　　2. 光耦合器:
　　組件本身的距離需符合安規(guī)的要求, layout 時(shí)零件下方不可有Trace 避免距離
　　不足的問題。
　　3. Y-Cap:
　　本身的特性是高頻低阻抗的組件,當(dāng)共模雷擊測試時(shí),能量會(huì)快速通過Y-Cap
　　所擺放的路徑, 因此layout 布局時(shí)半導(dǎo)體組件(PWM IC , TL431, OP…) GND
　　trace 應(yīng)避開Y Cap 雷擊能量泄放路徑, 以避免成零件的損壞.

　　差模的雷擊對(duì)策: (Differential）
　　雷擊能量流經(jīng)的路徑主要在橋式整流器前的L 和N 回路, 主要對(duì)策如下: Varistor(MOV) 或 Spark Gap(雷擊管)吸收 等組件吸收并抑制能量流入power supply 內(nèi)部。
　　1. Thermistor (NTC) :串接于L or N 的路徑上,會(huì)增加回路的阻抗值,進(jìn)而降低進(jìn)入Power supply 的電流能量。
　　2.MOV(Metal Oxide Varistor ) :金屬氧化物或突波吸收器, 使用上并聯(lián)于L 和N 上,組件本身為一個(gè)高阻抗的組件,在一般的情形下并不會(huì)有損耗產(chǎn)生,只有稍許的漏電流,當(dāng)瞬間的雷擊高電位進(jìn)入電源輸入端且超過MOV 的崩潰電壓,此時(shí)產(chǎn)生抑制電壓的動(dòng)作,而讓瞬間上升電流流經(jīng)MOV 本身進(jìn)行能量吸收,降低雷擊的能量進(jìn)入Power Supply 本身。
　　3. Spark Gap or Gas Discharge Tube : 使用上并聯(lián)于Common Choke 同一次側(cè)的兩端,針對(duì)雷擊所產(chǎn)生的動(dòng)作保護(hù)原理當(dāng)瞬間的高電位在Common Choke 兩端超過其額定的電壓時(shí)會(huì)激發(fā)惰性氣體, 此時(shí)Spark Gap 會(huì)產(chǎn)生電弧放電,將突波的能量抑制下來,不讓大量的能量進(jìn)入Power Supply ,
　　4. 在layout 上規(guī)劃出鋸齒狀的銅箔形式,兩端距離約1mm,當(dāng)Common Choke 兩端的壓差太大時(shí),產(chǎn)生尖端放電的現(xiàn)象,將能量進(jìn)而宣泄。
　　除了上述設(shè)計(jì)上所應(yīng)注意的地方之外, Layout 上如何達(dá)到對(duì)電擊的防制亦是重要一環(huán)。
　　地線(Ground) 的處理,如下圖所示
　　A. 一次側(cè)的部分,Ground 的layout 順序大電容的Ground →Current
　　sensor→Y-Cap→一次側(cè)變壓器輔助繞組Vcc 電容的Ground→PWM IC 外圍
　　組件的ground →PWM IC 的ground 。
　　B. 二次側(cè)的部分:1. TL431 的地接至第二級(jí)輸出電容的地。
　　C. 二次側(cè)Y-cap 的出腳接至二次側(cè)變壓器的ground 。 　　2. 正端高壓部分的處理, 如下圖所示。
　　A. L,N 兩線距離2.5mm 以上及與E 的距離在4mm 以上。
　　B. 高壓的銅箔與低壓的銅箔安全距離在1.5mm 以上。
　　C. 一、二次側(cè)的距離在6mm 以上。 　　4. PWM IC layout 的注意事項(xiàng) ,因PWM IC 相較于其它的組件而言是屬于比較脆弱且易損傷的組件, ,舉例在一般的PWM IC 都會(huì)定義每支腳位所能承受的最大電位及負(fù)向電壓如下圖所示,所以一開始layout 其組件的擺置相形重要。
　　Vcc 的電解電容及陶瓷電容。
　　Cs pin 的陶瓷電容。
　　CT pin 的陶瓷電容。
　　COMP pin 的陶瓷電容。
　　以上電容都要盡量要靠近IC,以防止瞬間電壓進(jìn)入PWM IC(尤其是負(fù)電壓)。再來
　　就Ground 的處理, 首先將PWM IC 之 CT / CS / COMP 所有GND 接在一起后,單點(diǎn)
　　進(jìn)入IC GND,再接至Vcc 電解/陶瓷電容的Ground 最后再接至輔助繞組的Ground。 　　對(duì)于layout ground 的部分用實(shí)例來解釋 如下圖所示, Ground 的layout 準(zhǔn)則
　　1. Current sense 電阻直接回到大電容的地。
　　2.由大電容的地先到變壓器的地再到輔助繞組 Vcc 電解電容的地。
　　3. 由輔助繞組 Vcc 電解電容再分出去給光耦合器的地及IC 外圍陶瓷電容的地,最后接到PWM IC 的地。