便攜式設備的ESD保護十分重要,而
TVS二極管是一種十分有效的保護器件,與其它器件相比有其獨特的優勢,但在應用時應當針對不同的保護對象來選用器件,因為不同的端口可能受到的靜電沖擊有所不同,不同器件要求的保護程度也有不同。要注意相應的參數鑒別以及各個生產商的不同設計,同時還要進行合理的PCB布局。本文介紹在便攜式設備的ESD保護中如何應用TVS二極管器件。
便攜式設備如筆記本電腦、手機、PDA、MP3播放器等,由于頻繁與人體接觸極易受到靜電放電(ESD)的沖擊,如果沒有選擇合適的保護器件,可能會造成機器性能不穩定,或者損壞。更壞的情況是查不出確切的原因,使用戶誤認為是產品質量問題而損壞企業信譽。
一般情況下,對此類設備暴露在外面可能與人體接觸的端口都要求進行防靜電保護,如鍵盤、電源接口、數據口、I/O口等等。現在比較通用的ESD標準是IEC61000-4-2,應用人體靜電模式,測試電壓的范圍為2kV~15kV(空氣放電),峰值電流最高為20A/ns,整個脈沖持續時間不超過60ns。在這樣的脈沖下所產生的能量總共不超過幾百個微焦爾,但卻足以損壞敏感元器件。
便攜式設備所采用的IC器件大多是高集成度、小體積產品,精密的加工工藝使硅晶氧化層非常薄,因而更易擊穿,有的在20V左右就會受到損傷。傳統的保護方法已不再普遍適用,有的甚至還會造成對設備性能的干擾。
TVS二極管的特點
可用于便攜式設備的ESD保護器件有很多,例如設計人員可用分立器件搭建保護回路,但由于便攜設備對于空間的限定以及避免回路自感,這種方法已逐漸被更加集成化的器件所替代。多層金屬氧化物器件、陶瓷電容還有二極管都可以有效地進行防護,它們的特性及表現各有不同,TVS二極管在此類應用中的獨特表現為其贏得了越來越大的市場。
TVS二極管最顯著的特點一是反應迅速,使瞬時脈沖在沒有對線路或器件造成損傷之前就被有效地遏制,二是截止電壓比較低,更適用于電池供電的低電壓回路環境。另外對TVS二極管設計的改進使其具有更低的漏電流和結電容,因而在處理高速率傳導回路的靜電沖擊時有更理想的性能表現。
TVS二極管的優勢
TVS與齊納二極管:與傳統的齊納二極管相比,TVS二極管P/N結面積更大,這一結構上的改進使TVS具有更強的高壓承受能力,同時也降低了電壓截止率,因而對于保護手持設備低工作電壓回路的安全具有更好效果。
VS與陶瓷電容:很多設計人員愿意采用表面貼裝的陶瓷電容作ESD保護,不但便宜而且設計簡便,但這類器件對高壓的承受力卻比較弱。5kV的沖擊會造成約10%陶瓷電容失效,到10kV時,損壞率達到60%,而TVS可以承受15kV電壓。在手持設備的使用過程中,由于與人體頻繁接觸,各個端口必須至少能夠承受8kV接觸沖擊(IEC61000-4-2標準),可見使用TVS可以有效保證最終產品的合格率。
TVS與MLV:多層金屬氧化物結構器件(MLV)也可以進行有效的瞬時高壓沖擊抑制,此類器件具有非線性電壓-電流(阻抗表現)關系,截止電壓可達最初中止電壓的2~3倍,這種特性適合用于對電壓不太敏感的線路和器件的保護,如電源回路。而TVS二極管具有更好的電壓截止因子,同時還具有較低的電容,這一點對于手持設備的高頻端口非常重要,因為過高的電容會影響數據傳輸,造成失真或是降級。TVS二極管的各種表面封裝均適合流水線裝配的要求,而且芯片結構便于集成其它的功能,如EMI和RFI過濾保護等,可有效降低器件成本,優化整體設計。
另一個不能忽略的特點是二極管可以很方便地與其它器件集成在一個芯片上,現有很多將EMI過濾和RFI防護等功能與TVS集成在一起的器件,不但減少設計所采用的器件數目降低成本,而且也避免PCB板上布線時易誘發的伴生自感。
TVS二極管的工作原理
瞬態(瞬變)電壓抑制二極管簡稱TVS器件,在規定的反向應用條件下,當承受一個高能量的瞬時過壓脈沖時,其工作阻抗能立即降至很低的導通值,允許大電流通過,并將電壓箝制到預定水平,從而有效地保護電子線路中的精密元器件免受損壞。
TVS能承受的瞬時脈沖功率可達上千瓦,其箝位響應時間僅為1ps(10^-12S)。
TVS允許的正向浪涌電流在T =25℃,T=10ms條件下,可達50~200A 。
雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈沖功率,并把電壓箝制到預定水平,雙向TVS適用于交流電路,單向TVS一般用于直流電路。
TVS二極管的電特性
1、單向TVS的V-I特性,單向TVS的正向特性與普通穩壓二極管相同,反向擊穿拐點近似“直角”為硬擊穿,為典型的PN結雪崩器件。從擊穿點到Vc值所對應的曲線段表明,當有瞬時過壓脈沖時,器件的電流急驟增加而反向電壓則上升到箝位電壓值,并保持在這一水平上。
2.雙向TVS的V-I特性,雙向TVS的V-I特性曲線如同兩只單向TVS“背靠背”組合,其正反兩個方向都具有相同的雪崩擊穿特性和箝位特性,正反兩面擊穿電壓的對稱關系為:0.9≤V(BR)(正) /V(BR)(反) ≤1.1,一旦加在它兩端的干擾電壓超過箝位電壓Vc就會立刻被抑制掉,雙向TVS在交流回路應用十分方便。
TVS器件的主要參數
1. 擊穿電壓V(BR) 器件在發生擊穿的區域內,在規定的試驗電流I(BR) 下,測得器件兩端的電壓稱為擊穿電壓,在此區域內,二極管成為低阻抗的通路。
2. 最大反向脈沖峰值電流IPP
在反向工作時,在規定的脈沖條件下,器件允許通過的最大脈沖峰值電流。IPP與最大箝位電壓Vc(MAX) 的乘積,就是瞬態脈沖功率的最大值。 使用時應正確選取TVS,使額定瞬態脈沖功率PPR大于被保護器件或線路可能出現的最大瞬態浪涌功率。 當瞬時脈沖峰值電流出現時,TVS被擊穿,并由擊穿電壓值上升至最大箝位電壓值,隨著脈沖電流呈指數下降,箝位電壓亦下降,恢復到原來狀態。因此,TVS能抑制可能出現的脈沖功率的沖擊,從而有效地保護電子線路。
3. 最大反向工作電壓VRWM(或變位電壓)器件反向工作時,在規定的IR下,器件兩端的電壓值稱為最大反向工作電壓VRWM。通常VRWM =(0.8~0.9)V (BR) 。
在這個電壓下,器件的功率消耗很小。使用時,應使VRWM 不低于被保護器件或線路的正常工作電壓。
4.最大箝位電壓Vc(max ) 在脈沖峰值電流Ipp 作用下器件兩端的最大電壓值稱為最大箝位電壓。
使用時,應使Vc(max )不高于被保護器件的最大允許安全電壓。
最大箝位電壓與擊穿電壓之比稱為箝為系數。
即:箝位系數=Vc(max )/V(BR) 一般箝位系數為1.3左右。
5.反向脈沖峰值功率PPR TVS的PPR取決于脈沖峰值電流IPP和最大箝位電壓Vc(max ),除此以外,還和脈沖波形、脈沖時間及環境溫度有關。
當脈沖時間Tp一定時,PPR =K1...·K2 ·Vc(max ) ·Ipp 式中K1為功率系數,K2為功率的溫度系數。
典型的脈沖持續時間tp為1MS,當施加到瞬態電壓抑制二極管上的脈沖時間tp 比標準脈沖時間短時,其脈沖峰值功率將隨tp的縮短而增加。TVS的反向脈沖峰值功率PPR與經受浪涌的脈沖波形有關,用功率系數K1表示,各種浪涌波形的K1值如表1所示。
E=∫i(t).V(t)dt
式中:
i(t)為脈沖電流波形,
V(t)為箝位電壓波形。
這個額定能量值在極短的時間內對TVS是不可重復施加的。但是,在實際的應用中,浪涌通常是重復地出現,在這種情況下,即使單個的脈沖能量比TVS器件可承受的脈沖能量要小得多,但若重復施加,這些單個的脈沖能量積累起來,在某些情況下,也會超過TVS器件可承受的脈沖能量。因此,電路設計必須在這點上認真考慮和選用TVS器件,使其在規定的間隔時間內,重復施加脈沖能量的累積不至超過TVS器件的脈沖能量額定值。
6.電容CPP TVS的電容由硅片的面積和偏置電壓來決定,電容在零偏情況下,隨偏置電壓的增加,該電容值呈下降趨勢。電容的大小會影響TVS器件的響應時間。
7.漏電流IR 當最大反向工作電壓施加到TVS上時,TVS管有一個漏電流IR,當TVS用于高阻抗電路時,這個漏電流是一個重要的參數。
TVS器件的分類
按極性可分為:單極性和雙極性兩種;
按用途可分為:通用型和專用型;
按封裝和內部結構可分為:軸向引線二極管、雙列直插TVS陣列、貼片式和大功率模塊等。
軸向引線的產品峰值功率可達400W、500W、600W、1500W和5000W。
其中大功率的產品主要用在電源饋線上,低功率產品主要用在高密度安裝場合。對于高密度安裝的場合,也可以選擇雙列直插和表面貼裝等封裝形式。
TVS器件的選用
在選用TVS時,應考慮以下幾個主要因素:
(1)若TVS有可能承受來自兩個方向的尖峰脈沖電壓(浪涌電壓)沖擊時,應當選用雙極性的,否則可選用單極性。
(2)所選用TVS的Vc值應低于被保護元件的最高電壓。Vc是二極管在截止狀態的電壓,也就是在ESD沖擊狀態時通過TVS的電壓,它不能大于被保護回路的可承受極限電壓,否則器件面臨被損壞的危險。
(3)TVS在正常工作狀態下不要處于擊穿狀態,最好處于VR以下,應綜合考慮VR和VC兩方面的要求來選擇適當的TVS。
(4)如果知道比較準確的浪涌電流IPP,則可利用VCIpp來確定功率;如果無法確定IPP的大致范圍,則選用功率大些的TVS為好。PM是TVS能承受的最大峰值脈沖功率耗散值。在給定的最大箝位電壓下,功耗PM越大,其浪涌電流的承受能力越大;在給定的功耗PM下,箝位電壓VC越低,其浪涌電流的承受能力越大。另外,峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續時間和環境溫度有關。 (5)TVS所能承受的瞬態脈沖是不重復的,器件規定的脈沖重復頻率(持續時間與間歇時間之比)為0.01%。如果電路內出現重復性脈沖,應考慮脈沖功率的累積,不然有可能損壞TVS。
(6)對于小電流負載的保護,可有意識地在線路中增加限流電阻,只要限流電阻的阻值適當,一般不會影響線路的正常工作,但限流電阻對干擾所產生的電流卻會大大減小。但這樣可能選用峰值功率較小的TVS管來對小電流負載線路進行保護。
(7)電容量C是由TVS雪崩結截面決定的,這是在特定的1 MHz頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比,C太大將使信號衰減。因此,C是數據接口電路選用TVS的重要參數。對于數據/信號頻率越高的回路,二極管的電容對電路的干擾越大,形成噪聲或衰減信號強度也大,因此,需要根據回路的特性來決定所選器件的電容范圍。高頻回路一般選擇電容應盡量小(如LCTVS、低電容TVS,電容不大于3 pF),而對電容要求不高的回路,電容的容量選擇可高于40pF。
(8)為了滿足IEC61000-4-2國際標準,TVS二極管必須達到可以處理最小8 KV(MB,接觸)和15 kV(BM,空氣)的ESD沖擊,有的半導體生產廠商在自己的產品上使用了更高的抗沖擊標準。而對于某些有特殊要求的便攜設備應用,設計者可以按需要挑選器件。
TVS器件的應用
1.底部連接器的應用
底部連接器設計廣泛應用在移動消費類產品上,目前市場上應用產品主要為移動電話、PDA、DSC(數碼相機)以及MP3等便攜產品。
由于是直流回路,可選用高電容器件。此端口可能會受到高能量的沖擊,可以選用集成了TVS和過流保護功能的器件。
2. RJ-45(10/100M以太網網絡)
RJ-45接口廣泛應用在網絡連接的接口設備上,典型的應用就是10/100M以太網網絡。
3. 視頻線路的保護
目前視頻常見的輸出端口設計有D-SUB、DVI(28線)、SCART(19線)和D-TERMINAL(主要日系產品在用)。視頻數據線具有高數據傳輸率,數據傳輸率高達480Mbps,有的視頻數據傳輸率達到1G以上,因而要選擇低電容LCTVS,它通常是將一個低電容二極管與TVS二極管串聯,以降低整個線路的電容(可低于3pF),達到高速率回路的要求。
4. SIM卡數據線路保護
SIM卡數據線路保護一直是各個公司的產品重點,而且專門為此類端口設計的集ESD(TVS)/EMI/RFI防護于一個芯片的器件,充分體現了片式器件的無限集成方案。
在針對不同用途選擇器件時,要避免使器件工作在其設計參數極限附近,還應根據被保護回路的特征及可能承受ESD沖擊的特征選用反應速度足夠快、敏感度足夠高的器件,這對于有效發揮保護器件的作用十分關鍵,另外集成了其它功能的器件也應當首先考慮。
5. USB保護
一般USB的ESD保護分上行和下行兩種情況。