許多人還是對半導體放電管的工作原理還不是很了解，那么半導體放電管的工作原理完整性到底是怎么樣的？半導體放電管主要的流程又是什么樣呢？今天踏歌電子技術小編就為廣大朋友們來來解答心中所存在的困惑吧！
　　1.半導體放電管簡述:
　　半導體過壓保護器是根據可控硅原理采用離子注入技術生產的一種新型保護器件，具有精確導通、快速響應（響應時間ns級）、浪涌吸收能力較強、雙向對稱、可靠性高等特點。
　　由于其浪涌通流能力較同尺寸的TVS管強，可在無源電路中代替TVS管使用。但它的導通特性接近于短路，不能直接用于有源電路中，在這樣的電路中使用時必須加限流元件，使其續流小于最小維持電流。半導體過壓保護器有貼裝式、直插式和軸向引線式三種封裝形式。 　　2.TSS工作原理:
　　半導體放電管也稱固態放電管是一種PNP元件，當外加電壓低于斷態電壓時，器件處于斷開狀態；當電壓超過它的斷態峰值電壓時，半導體放電管會將瞬態電壓箝制到元件的轉折電壓內；電壓繼續增大時，半導體放電管由于負阻效應進入導通狀態，這時近乎短路；當外加電壓恢復正常，電流能很快下降并低于維持電流，元件自動復位并恢復到高阻抗狀態。 　　反向工作狀態（K端接正、A端接負）?正向工作狀態（A端接正、K端接負）
　　①阻斷區：此時器件兩端所加電壓低于擊穿電壓，J1正偏，J2為反偏，電流很小，起了阻擋電流的作用，外加電壓幾乎都加在了J2上。
　　②雪崩區：當外加電壓上升接近J2結的雪崩擊穿電壓時，反偏J2結空間電荷區寬度擴展的同時，結區內電場大大增強，從而引起倍增效應加強。于是，通過J2結的電流突然增大，并使流過器件的電流也增大，這就是電壓增加，電流急劇增加的雪崩區。
　　③負阻區：當外加電壓增加到大于VBO時，由于雪崩倍增效應而產生了大量的電子空穴對，此時這些載流子在強場的作用下，電子進入n2區，空穴進入p1區，由于不能很快復合而分別堆積起來，使J2空間電荷區變窄。由此使p1區電位升高、n2區電位下降，起了抵消外電壓的作用。隨著J2結區電場的減弱，降落在J2結上的外電壓將下降，雪崩效應也隨之減弱。另一方面，J1、J3結的正向電壓卻有所增加，注入增強，造成通過J2結的電流增大，于是出現了電流增加電壓減小的負阻現象。
　　④低阻通態區：如上所述，雪崩效應使J2結兩側形成空穴和電子的積累，造成J2結反偏電壓減小；同時又使J1、J3結注入增強，電流增大，因而J2結兩側繼續有電荷積累，結電壓不斷下降。當電壓下降到雪崩倍增完全停止，結電壓全部被抵消后，J2結兩側仍有空穴和電子積累時，J2結變為正偏。此時，J1、J2和J3全部為正偏，器件可以通過大電流，因而處于低阻通態區。完全導通時，其伏安特性曲線與整流元件相似。
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