電路的
ESD保護(hù)靜電放電(ESD)是從事硬件設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的工程師都必須掌握的知識(shí)。很多開(kāi)發(fā)人員往往會(huì)遇到這樣的情形:實(shí)驗(yàn)室中開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品,測(cè)試 完全通過(guò),但客戶使用一段時(shí)間后,即會(huì)出現(xiàn)異?,F(xiàn)象,故障率也不是很高。一般情況下,這些問(wèn)題大多由于浪涌沖擊、ESD沖擊等原因造成。在電子產(chǎn)品的裝配 和制造過(guò)程中,超過(guò)25%的半導(dǎo)體芯片的損壞歸咎于ESD。隨著微電子技術(shù)的廣泛應(yīng)用及電磁環(huán)境越來(lái)越復(fù)雜,人們對(duì)靜電放電的電磁場(chǎng)效應(yīng)如電磁干擾 (EMI)及電磁兼容性(EMC)問(wèn)題越來(lái)越重視。
電路設(shè)計(jì)工程師一般通過(guò)一定數(shù)量的瞬間電壓抑制器(TVS)器件增加保護(hù)。如固狀器件(二極管)、金屬氧化物變阻器(MOV)、可控硅整流器、其他 可變電壓的材料(新聚合物器件)、氣體電子管和簡(jiǎn)單的火花隙。隨著新一代高速電路的出現(xiàn),器件的工作頻率已經(jīng)從幾kHz上升到GHz,對(duì)用于ESD保護(hù)的 高容量無(wú)源器件的要求也越來(lái)越高。例如,TVS必須迅速響應(yīng)到來(lái)的浪涌電壓,當(dāng)浪涌電壓在0.7ns達(dá)到8KV(或更高)峰值時(shí),TVS器件的觸發(fā)或調(diào)整 電壓 (與輸入線平行)必須足夠低以便作為一個(gè)有效的電壓分配器。(推薦閱讀:
ESD保護(hù)器原理與應(yīng)用)
現(xiàn)在,電路設(shè)計(jì)工程師在高頻電路設(shè)計(jì)中越來(lái)越多地采用ESD抑制方案。盡管低成本的硅二極管(或變阻器)的觸發(fā)/箝位電壓非常低,但其高頻 容量和漏電流無(wú)法滿足不斷增長(zhǎng)的應(yīng)用需求。聚合物ESD抑制器在頻率高達(dá)6GHz時(shí)的衰減小于0.2dB,對(duì)電路的影響幾乎可以忽略不計(jì)。
電磁兼容和電路保護(hù)對(duì)所有電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)而言都是無(wú)法回避的問(wèn)題。電路設(shè)計(jì)工程師除了熟悉電磁兼容相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),設(shè)計(jì)中還需綜合考慮器件本身的性能、寄 生參數(shù)、產(chǎn)品性能、成本以及系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的每個(gè)功能模塊,通過(guò)布局布線優(yōu)化、增加去耦電容、磁珠、磁環(huán)、屏蔽、PCB諧振抑制等措施來(lái)確保EMI在控制范圍 之內(nèi)。在制定電路保護(hù)設(shè)計(jì)方案時(shí),最重要的是首先掌握因應(yīng)的技術(shù)方案和設(shè)計(jì)手段,并據(jù)此選擇正確的
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