氧化鋅壓敏電阻器與TVS管都是ESD防護(hù)常用的器件，對(duì)提升整機(jī)的ESD性能有非常重要的作用。但是氧化鋅壓敏電阻器與TVS管的導(dǎo)電機(jī)理及結(jié)構(gòu)各有差異，因此在具體應(yīng)用表現(xiàn)也不盡相同。本文將對(duì)二者在導(dǎo)電機(jī)理，脈沖能量耗散機(jī)理，ESD防護(hù)時(shí)的響應(yīng)時(shí)間的不同進(jìn)行分析闡述，糾正在響應(yīng)時(shí)間認(rèn)識(shí)上可能存在的誤區(qū)，從而使讀者更好的認(rèn)識(shí)壓敏電阻和TVS。

　　一、導(dǎo)電機(jī)理
　　1. 氧化鋅壓敏陶瓷
　　氧化鋅壓敏陶瓷是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、 經(jīng)電子陶瓷工藝制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元件，具有非線性導(dǎo)電特性，是抑制過(guò)電壓、吸收浪涌能量、ESD防護(hù)的主要元件材料。
　　氧化鋅壓敏陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)如圖1所示。是由氧化鋅晶粒及晶界物質(zhì)組成的,其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質(zhì)而呈N型半導(dǎo)體, 晶界物質(zhì)中含有大量金屬氧化物形成大量界面態(tài),這樣兩個(gè)晶粒和一個(gè)晶界（即微觀單元）形成一個(gè)類似背靠背雙向NPN結(jié), 整個(gè)陶瓷就是由許多背靠背雙向NPN結(jié)串并聯(lián)的組合體。
　　由于氧化鋅壓敏陶瓷晶界非常薄，僅有埃數(shù)量級(jí)，則當(dāng)施加電壓小于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí)，屬于肖特基勢(shì)壘熱電子發(fā)射電導(dǎo)，其導(dǎo)通電流與PN結(jié)勢(shì)壘及溫度有關(guān)；當(dāng)施加電壓大于其反向PN結(jié)擊穿電壓（3.2V）時(shí)，屬于隧道電子擊穿導(dǎo)電，其導(dǎo)通電流只與所施加電壓有關(guān)，隧道電子擊穿時(shí)間是幾十到百皮秒。 　　圖2是壓敏電阻器的等效電路。其中：當(dāng)施加電壓小于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí)，Rb遠(yuǎn)大于Rg,施加電壓幾乎全部加在晶界上，Rb＞10M；
　　當(dāng)施加電壓大于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí)，晶界產(chǎn)生隧道電子擊穿導(dǎo)電，Rb遠(yuǎn)小于Rg,施加電壓加在晶粒和晶界上，Rg+Rb阻值只有歐姆級(jí)；
　　因此當(dāng)外施電壓小于氧化鋅壓敏陶瓷晶界擊穿電壓（即壓敏電壓）時(shí)，壓敏電阻呈現(xiàn)絕緣體高阻值，其漏電流僅有微安級(jí)；當(dāng)外施電壓大于氧化鋅壓敏陶瓷晶界擊穿電壓（即壓敏電壓）時(shí)，壓敏電阻呈現(xiàn)導(dǎo)體低阻值，通過(guò)電流有幾十安培，而且外施電壓小幅提高，通過(guò)電流急速增長(zhǎng)。
　　氧化鋅壓敏陶瓷的典型V-I特性曲線如圖3所示: 　　片式氧化鋅壓敏電阻器是采用氧化鋅壓敏陶瓷材料，經(jīng)過(guò)電子陶瓷流延工藝制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元件。
　　由于片式氧化鋅壓敏電阻器可應(yīng)用于電子電源線路和數(shù)據(jù)傳輸線路中，因此被保護(hù)電路的工作電壓范圍較寬，同時(shí)數(shù)據(jù)線對(duì)其電容有特殊要求。通過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝調(diào)整（如層數(shù)和膜厚等），可以得到不同線路保護(hù)要求的壓敏電阻器。其結(jié)構(gòu)和線路如圖4：
　　二、TVS管
　　TVS（TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR）或稱瞬變電壓抑制二極管是在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新產(chǎn)品，其電路符號(hào)和普通穩(wěn)壓二極管相同,外形也與普通二極管無(wú)異,分為單向和雙向，具有非線性導(dǎo)電特性，用于線路抑制過(guò)電壓、ESD防護(hù)。
　　目前TVS管PN結(jié)的反向擊穿電壓一般大于6V，當(dāng)施加電壓小于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí)，屬于肖特基勢(shì)壘熱電子發(fā)射電導(dǎo)，其導(dǎo)通電流與PN結(jié)勢(shì)壘及溫度有關(guān)；當(dāng)施加電壓大于其反向PN結(jié)擊穿電壓（6V）時(shí)，屬于雪崩電子擊穿導(dǎo)電，其導(dǎo)通電流只與所施加電壓有關(guān)，雪崩電子擊穿時(shí)間可達(dá)1～2ns。
　　由于TVS管也是PN結(jié)微觀結(jié)構(gòu)，其等效電路類似圖2。TVS管只有PN結(jié)，無(wú)晶粒電阻，即Rg=0。因此當(dāng)施加電壓大于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí)，PN結(jié)雪崩電子擊穿導(dǎo)電，施加電壓主要加在PN結(jié)電阻Rb上，Rb阻值只有歐姆級(jí)，因此當(dāng)外施電壓大于TVS擊穿電壓（即壓敏電壓）時(shí)，呈現(xiàn)導(dǎo)體低阻值，通過(guò)電流有幾十安培，而且隨著通過(guò)TVS電流急速增長(zhǎng)，而TVS兩端電壓仍然很低（相對(duì)片式氧化鋅壓敏電阻器而言）。其伏安特性曲線見圖5。
　　三、能量耗散對(duì)比以及對(duì)應(yīng)用表現(xiàn)的影響
　　基于以上導(dǎo)通機(jī)理分析，當(dāng)片式TVS管兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時(shí)，它能以納秒級(jí)時(shí)間使其PN結(jié)阻抗驟然降低，將其兩端間的電壓箝位在一個(gè)預(yù)定的數(shù)值上，從而確保后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊而損壞。由于TVS管內(nèi)部?jī)H是雪崩PN結(jié)結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)通時(shí)TVS兩端呈現(xiàn)導(dǎo)體低阻值特性，從而限制電壓較壓敏電阻更低，在TVS上支路上的通流更大，該特性適合應(yīng)用于耐ESD電壓特別差或者被保護(hù)部位阻抗特別小的部位(如聽筒，MIC,音頻等)。但TVS無(wú)法吸收瞬間脈沖能量，只能將能量單方向傳導(dǎo)至線路的公用地線上，有可能對(duì)連接到該公共地的其他ESD敏感器件造成二次破壞。
　　壓敏電阻內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)是無(wú)數(shù)個(gè)PN結(jié)和晶粒的串并聯(lián)結(jié)合體，可以吸收和傳導(dǎo)能量，當(dāng)線路中產(chǎn)生任何過(guò)電壓時(shí)，壓敏電阻器迅速?gòu)恼讱W級(jí)絕緣電阻變?yōu)闅W姆級(jí)的電阻，將過(guò)電壓抑制到較低的水平并吸收部分能量，因此壓敏電阻的吸收能量的能力比TVS管要強(qiáng)，并且能防止ESD造成的瞬態(tài)EMI和二次破壞。壓敏電阻的特性特別適合于電源部位和較大瞬態(tài)能量的部位過(guò)壓防護(hù)。

　　四、響應(yīng)時(shí)間
　　作為過(guò)電壓保護(hù)元件，當(dāng)過(guò)電壓出現(xiàn)時(shí)，保護(hù)元件從高阻值絕緣體變?yōu)榈碗娮鑼?dǎo)體、即將過(guò)電壓的峰值電壓大幅降低的時(shí)間，稱為過(guò)電壓保護(hù)元件的響應(yīng)時(shí)間。只有過(guò)電壓保護(hù)元件的響應(yīng)時(shí)間小于過(guò)電壓的上升時(shí)間，才具有過(guò)電壓的抑制功能。
　　過(guò)電壓保護(hù)元件響應(yīng)時(shí)間是由元件材料及結(jié)構(gòu)決定的，當(dāng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中存在寄生電感、電容時(shí)，除對(duì)保護(hù)元件響應(yīng)時(shí)間影響外，還會(huì)影響過(guò)電壓產(chǎn)生瞬間線路的振蕩過(guò)程。
　　目前很多設(shè)計(jì)人員的意識(shí)里存在壓敏電阻響應(yīng)時(shí)間比TVS慢的誤區(qū)，器件的響應(yīng)時(shí)間一般由材料和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)決定，下面對(duì)這兩個(gè)因素進(jìn)行分析。
　　1、材料本征響應(yīng)時(shí)間
　　由上面的導(dǎo)通機(jī)理分析可以知道，氧化鋅壓敏陶瓷導(dǎo)電機(jī)理是隧道擊穿，所以其材料響應(yīng)時(shí)間就是其隧道電子擊穿時(shí)間，一般為0.3ns。TVS管導(dǎo)電機(jī)理是雪崩擊穿，其響應(yīng)時(shí)間就是其雪崩電子擊穿時(shí)間，一般在0.5~1ns之間。
　　2、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)對(duì)響應(yīng)時(shí)間影響
　　片式氧化鋅壓敏電阻器采用多層獨(dú)石結(jié)構(gòu)，其寄生電感非常小，對(duì)其響應(yīng)時(shí)間影響甚微，有些設(shè)計(jì)人員談到的壓敏電阻響應(yīng)時(shí)間慢主要指用于AC端防浪涌的插件壓敏電阻，因?yàn)檩^長(zhǎng)的引線引入寄生的電感導(dǎo)致響應(yīng)時(shí)間較慢（25ns）。而TVS管為了SMT要求，在其兩端設(shè)計(jì)電極引線，也會(huì)產(chǎn)生寄生電感，對(duì)其響應(yīng)時(shí)間有一定影響。 　　而ESD放電波形一般在1nS達(dá)到峰值（如圖6），這就需要過(guò)電壓防護(hù)器件在1nS內(nèi)迅速響應(yīng)，鉗制過(guò)電壓，保護(hù)IC和ESD敏感線路。從響應(yīng)時(shí)間看，片式壓敏電阻和TVS的響應(yīng)時(shí)間都滿足ESD防護(hù)的需求，從而起到良好的防護(hù)效果。

　　綜合以上分析和對(duì)比，片式氧化鋅壓敏陶瓷電阻和TVS管均是抑制ESD的有效器件，TVS管限制電壓較低，瞬態(tài)內(nèi)阻較小，適合應(yīng)用于耐ESD電壓特別差或者被保護(hù)部位阻抗特別小的部位(如聽筒，MIC,音頻等)。而壓敏電阻的吸收能量的能力比TVS管要強(qiáng)，除了一般的ESD防護(hù)，也特別適合于電源部位和較大瞬態(tài)能量的部位過(guò)壓防護(hù)。在響應(yīng)時(shí)間方面，要避免陷入片式氧化鋅壓敏陶瓷電阻的響應(yīng)時(shí)間慢的誤區(qū)。由于工藝的差異，片式壓敏電阻的價(jià)格要遠(yuǎn)低于TVS，表現(xiàn)出良好的性價(jià)比，設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)電路的實(shí)際應(yīng)用靈活選擇片式壓敏電阻或者TVS。